英特尔 EMIB 技术突破

$INTC 英特尔在其 EMIB 先进封装技术上取得了重大里程碑，良率达到约 90%，分析师认为这是代工领域的重大突破，也是相对于台积电已完全满载的 CoWoS 的竞争优势。 -EMIB-M：专注于效率，采用 MIM 电容器以实现更好的电力传输和噪声降低。 -EMIB-T：添加 TSV（硅通孔）用于通过桥接器直接电源路由，为 AI 加速器实现更高性能。它支持更轻松地集成来自其他封装设计的 IP，并针对高带宽内存 (HBM) 进行了优化。 -当前/近期 (EMIB-T)：在 120x120mm 封装中 >8 倍光罩尺寸，支持 12 个 HBM、4+ 个密集小芯片和 >20 个桥接器。 -到 2028 年：扩展至 >120x180mm 封装中的 >12 倍光罩尺寸，配备 >24 个 HBM 芯片和 >38 个 EMIB-T 桥接器。 EMIB 正在获得超大规模云服务提供商的关注：据报道，谷歌将其用于下一代 TPU（例如 TPUv8e），英伟达用于 Feynman 芯片，Meta 用于未来的 CPU（2028 年末）。这加强了英特尔代工在 AI 封装竞赛中的地位。 先进封装是垂直发展的摩尔定律。